专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]BiVO4-CN202110743182.1有效
  • 曾慧慧;邱丽;黄检;管树萍 - 萍乡学院
  • 2021-07-01 - 2023-05-30 - G01N27/30
  • 本发明涉及BiVO4/CdS光阳极、制备方法及其在Cu2+检测上的应用,所述的BiVO4/CdS光阳极的制备方法包括以下步骤:预处理FTO导电玻片、制备BiVO4种子层、BiVO4纳米材料的制备、BiVO4/CdS光阳极。本发明制备了一种BiVO4/CdS光阳极,本发明的BiVO4/CdS光阳极将光电传感技术与现代纳米技术有机融合,以光作为激发信号
  • bivobasesub
  • [发明专利]一种FeOOH/In-BiVO4-CN202211122115.9在审
  • 王朋;郭昱昊;黄柏标;王泽岩;刘媛媛;郑昭科;程合锋;张倩倩;张晓阳 - 山东大学
  • 2022-09-15 - 2023-01-17 - C02F1/461
  • 本发明公开了一种FeOOH/In‑BiVO4(L)光电阳极材料及其制备方法和应用,包括如下步骤:将清洁FTO导电玻璃浸渍在铋盐、I和对苯醌的混合溶液中,采用电沉积方式获得BiOI电极;在BiOI电极表面涂覆乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液,煅烧得BiVO4电极;在BiVO4电极表面旋涂In(NO3)3溶液,煅烧得In‑BiVO4电极;将In‑BiVO4电极浸入KBi溶液,加光照加偏压得到In‑BiVO4(L)电极;将In‑BiVO4(L)电极浸渍在氯化铁溶液中8‑12h,然后转移至氯化铁和N,N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中,水热法制备FeOOH/In‑BiVO4
  • 一种feoohinbivobasesub
  • [发明专利]一种核壳结构BiVO4-CN202210993187.4有效
  • 谈国强;杨迁;毕钰;张碧鑫;冯帅军;王敏;任慧君;夏傲;刘文龙 - 陕西科技大学
  • 2022-08-18 - 2023-06-16 - B01J27/06
  • 本发明提供一种核壳结构BiVO4@BiOCl异质结及其制备方法和应用,其具有内核BiVO4BiVO4结构为单斜相,形貌为十面体;BiVO4的(010)晶面上形成有片状四方相BiOCl,BiVO4的(110)晶面上形成有具有氧空位的颗粒状四方相BiOCl,片状四方相BiOCl和颗粒状四方相BiOCl包裹BiVO4形成核壳结构。所述核壳结构BiVO4@BiOCl异质结在紫外‑可见光‑近红外光全光谱下具有增强的光催化性能,提高了材料的光催化效果和对抗生素、苯酚、水杨酸、双酚A及香豆素方面广普应用
  • 一种结构bivobasesub

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